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半導體IGBT的電流測試探頭選擇

更新時間:2026-03-24      點擊次數:157

一、概述

       因IGBT 大部分時間處于高速開關狀態,動態特性直接影響系統效率、EMI(電磁干擾)、過壓/過流風險及壽命。很多故障(如誤導通、橋臂串擾、關斷過壓等)只在動態條件下才會暴露。為了確保 IGBT 模塊在實際應用中的可靠性、穩定性與性能,必須對其進行靜態測試和動態測試。

IGBT模塊.jpeg


二、測試項目

1、開通特性

2、關斷特性

3、開關損耗

4、反向恢復

5、短路能力

6、di/dt與dv/dt 特性


三、電流測試難點

1、測試空間小

2、工作頻率高

3、溫度高

4、電壓可達上千伏

5、電流越來越大


四、電流探頭推薦

1、母線輸出電流,推薦HCPX8000系列電流探頭和MCP3000系列電流探頭,可以覆蓋毫安級到上萬安培電流變化,同時帶寬DC~120MHz

2、上管的漏極電流(Id),推薦CPX9000A系列柔性電流探頭、CPH9000高頻羅氏線圈或者CSD系列分流器,可覆蓋DC~2GHz的大電流測試

3、下管的驅動電流,推薦5Ω精密電阻+DPX60X0B系列低壓差分探頭,可覆蓋DC~1GHz的毫安級電流測試

電流探頭HCP8000.jpg


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