一、概述

      在半導(dǎo)體器件（如MOSFET、JFET等）中，漏源（DS） 和 柵源（GS） 是描述器件電極間電壓和電流關(guān)系的兩個(gè)重要概念，通常用  Vds 表示漏源電壓，用Vgs表示柵源電壓。

二、測試難點(diǎn)

1、MOS管在開關(guān)過程中，尤其是半橋電路中，上管電壓會(huì)隨下管開關(guān)動(dòng)作快速跳變，產(chǎn)生高幅值、高頻率的共模電壓。

2、MOS管開關(guān)時(shí)會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的電磁干擾（EMI），普通探頭的測量線較長，易成為天線接收干擾信號，導(dǎo)致測量結(jié)果出現(xiàn)震蕩或噪聲。

三、電壓探頭選擇

1、光隔離探頭OPLX6000系列

（1）光隔離探頭通過光纖傳輸信號，實(shí)現(xiàn)電氣隔離，能在全帶寬內(nèi)提供高共模抑制比（通常可達(dá)120dB以上），有效抑制共模干擾，準(zhǔn)確捕捉柵極電壓（Vgs）等差模信號，避免因共模干擾導(dǎo)致的波形畸變或誤判。

（2）光隔離探頭的寄生電容極小（通常在1pF以內(nèi)），寄生電感也極低，不會(huì)引入額外的位移電流或電壓振蕩，能更真實(shí)地反映MOS管開關(guān)過程中的電壓波形，尤其對于納秒級開關(guān)速度的SiC、GaN MOS管，可避免因探頭寄生參數(shù)導(dǎo)致的波形失真或過沖。

（3）光隔離探頭通過光纖傳輸信號，不受電磁干擾影響，能在高干擾環(huán)境下保持測量精度。

（4）在高壓、高功率的MOS管測試場景中，光隔離探頭實(shí)現(xiàn)測量端與示波器之間的電氣隔離，避免因接地回路問題或高壓泄漏導(dǎo)致的設(shè)備損壞或人員安全風(fēng)險(xiǎn)。

2、高壓差分探頭HVP6000系列

（1）HVP6000H 系列高壓差分探頭是具有浮地測量功能的高壓高頻差分探頭，可測量差分電壓7000Vpk，帶寬 500MHz。

（2）在線調(diào)零技術(shù)，調(diào)零無需斷開被測電路。

（3）全量程偏置電壓消除技術(shù)，可精準(zhǔn)測量紋波電壓。

（4）波形低失真測量技術(shù)。